큰 정사각형 보호 반도체 배선 허리 맞춤형 길이

제품 정보:
 

이 반도체 허리네스는 높은 순수성 광 구리를 전도 물질로 사용하며, 전도성 확보를 위해 2*50mm2의 전도도 가로 면적.반도체 허리네이스는 1KV의 명소 전압을 가지고 있으며 최대 120 °C의 주변 온도에 견딜 수 있습니다., 반도체 제조에 대한 고온 공정 환경의 요구 사항을 충족합니다. 반도체 허리네이스는 또한 전체 보호 구조가 있습니다.이는 외부 전자기 간섭을 효과적으로 차단할 수 있으며 반도체 제조의 주요 전원 공급 시스템에서 널리 사용될 수 있습니다.신뢰성, 안전 및 기타 주요 지표는 산업 표준의 요구 사항을 충족 할 수 있습니다.

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제품 사용:
 

I: 반도체 제조 장비 전원 공급: 이 고전압,고온 내성 반도체 배선 배열은 주요 전원 공급 장치에 반도체 제조 장비에서 널리 사용됩니다.1KV 등급 전압은 진공 펌프, 공기 압축기 및 기타 고전력 장비 전원 공급에 대한 수요를 충족시킬 수 있습니다.그리고 120 ° C의 온도 저항은 고온 공정 환경의 요구 사항에 완전히 일치합니다.전체적인 보호 설계는 또한 전기 신호의 안정적인 전송을 보장하고 외부 전자기 간섭의 영향을 피합니다.

II: 산업용 보일러 및 열처리 장비: 반도체 분야 외에도 이 고전압,고온 내성 반도체 배선 배열은 산업용 보일러에서도 널리 사용됩니다., 열처리장비 및 다른 고온 공정 환경. 이러한 장치들은 일반적으로 1kV 이상의 공급 전압과 120°C까지의 환경 온도를 필요로합니다.반도체 배열의 우수한 단열 및 전도성 특성이 산업의 엄격한 요구 사항을 충족하기 위해 안전하고 신뢰할 수있는 전력 전송을 보장하기 위해 우수한 기계적 강도.

새로운 에너지 차량 및 충전 시설: 새로운 에너지 차량 산업의 급성장과 함께,충전 장비는 또한 전력 전송 시스템에 대한 더 높은 요구 사항을 제시합니다.. 1KV high-voltage semiconductor wiring harnesses are widely used in new energy vehicle charging piles and other key equipments to ensure the safety and efficiency of the charging process by virtue of its excellent electrical performance and mechanical strength.

I: 통합 차단 구조: 반도체 허리네스는 외부 전자기 간섭을 효과적으로 차단 할 수있는 완전한 보호층 설계가 있습니다.보호층은 전기 신호의 안정적인 전송을 보장하고 외부 간섭의 영향을 피하기 위해 전도성 직물망과 금속 포일로 만들어집니다..
 

II: 고전압 등급 설계: 반도체 배열은 1kV까지 등급이 있으며, 이는 고전압 등급입니다.이 고전압 설계는 반도체 제조 장비의 주요 전원 공급 장치의 요구를 충족시킵니다., 진공 펌프 및 공기 압축기와 같은 고전력 장비에 전력 지원을 제공하는 데 적합합니다. 엄격한 재료 선택과 구조 설계를 통해,안전하고 신뢰할 수 있는 전력 전송을 보장하기 위해 배열은 1kV에서 우수한 단열 특성을 유지합니다..

III: 우수한 고온 성능: 반도체 배열은 최대 120°C의 주변 온도까지 견딜 수 있습니다.반도체 제조에 필요한 고온 공정 환경의 요구 사항에 따라높은 온도에서 고온 안정성을 보장하기 위해 폴리테트라플루로 에틸렌 (PTFE) 또는 실리콘 고무와 같은 고온 내성 절연 물질이 사용됩니다.배낭은 극심 한 고온 작동 조건에서도 우수한 전기 성능과 안정성을 유지 합니다..