سیم‌کشی نیمه‌هادی بزرگ مربع محافظ سفارشی طول

اطلاعات محصول:
 

این کمربند نیمه هادی از مس برهنه با خلوص بالا به عنوان ماده هادی استفاده می کند، مساحت برش قطعی هادی 2 * 50mm2 است، برای اطمینان از هادی.کمربند نیمه هادی دارای ولتاژ نامی 1KV است و می تواند حداکثر دمای محیطی 120 °C را تحمل کند، که نیازهای محیط فرآیند دمای بالا برای تولید نیمه هادی را برآورده می کند.که می تواند به طور موثر تداخل الکترومغناطیسی خارجی را مسدود کند و می تواند به طور گسترده ای در سیستم منبع اصلی تولید نیمه هادی استفاده شوددر قابلیت اطمینان، ایمنی و سایر شاخص های کلیدی می تواند نیازهای استانداردهای صنعت را برآورده کند.

اگه تاحالا نیاز داشتید که راه حل سیم بند خود را در نظر بگیرید، با ما تماس بگیرید.
 

کاربرد محصول:
 

I: منبع برق تجهیزات تولید نیمه هادی: این ولتاژ بالا،سیم کشی نیمه هادی مقاوم در دمای بالا به طور گسترده ای در تجهیزات تولید نیمه هادی برای منبع اصلی برق استفاده می شودولتاژ نامی 1KV می تواند تقاضای پمپ های خلاء، کمپرسورهای هوا و سایر تجهیزات قدرت بالا را برآورده کند.و مقاومت دمایی 120 ° C کاملا مطابق با الزامات محیط فرآیند با دمای بالا استطراحی کل محافظ همچنین انتقال پایدار سیگنال های الکتریکی را تضمین می کند و از تأثیر تداخل الکترومغناطیسی خارجی جلوگیری می کند.

II: دیگ های صنعتی و تجهیزات درمان گرما: علاوه بر میدان نیمه هادی، این ولتاژ بالا،سیم کشی نیمه هادی مقاوم به دمای بالا نیز به طور گسترده ای در دیگ های صنعتی استفاده می شود.این دستگاه ها معمولاً نیاز به ولتاژ تغذیه ای بیش از 1kV دارند و دمای محیط پردازش تا 120 درجه سانتیگراد را دارند.عایق بندی عالی و خواص رسانا سیمکاندکتور، و همچنین مقاومت مکانیکی عالی، برای اطمینان از انتقال انرژی ایمن و قابل اعتماد، برای پاسخگویی به الزامات سختگیرانه این صنایع.

III: وسایل نقلیه انرژی جدید و امکانات شارژ: با رشد سریع صنعت وسایل نقلیه انرژی جدید،تجهیزات شارژ آن همچنین الزامات بالاتری را برای سیستم انتقال قدرت مطرح می کند.. 1KV high-voltage semiconductor wiring harnesses are widely used in new energy vehicle charging piles and other key equipments to ensure the safety and efficiency of the charging process by virtue of its excellent electrical performance and mechanical strength.

I: ساختار محافظ یکپارچه: کمربند نیمه هادی دارای یک طرح لایه محافظ کامل است که می تواند به طور موثر تداخل الکترومغناطیسی خارجی را مسدود کند.لایه محافظ ساخته شده از شبکه بافته رسانا و ورق فلزی برای اطمینان از انتقال پایدار سیگنال های الکتریکی و جلوگیری از تأثیر تداخل خارجی.
 

II: طراحی ولتاژ بالا: کمربند نیمه هادی تا 1kV، که ولتاژ بالا است.این طراحی ولتاژ بالا نیازهای منبع اصلی برق برای تجهیزات تولید نیمه هادی را برآورده می کند، و مناسب برای ارائه پشتیبانی قدرت برای تجهیزات با قدرت بالا مانند پمپ های خلاء و کمپرسورهای هوا است. از طریق انتخاب دقیق مواد و طراحی ساختاری،تسمه دارای خواص عایق بندی عالی در 1kV برای اطمینان از انتقال برق ایمن و قابل اعتماد است.

III: عملکرد عالی در دمای بالا: کمربند نیمه هادی می تواند به حداکثر دمای محیط تا 120 درجه سانتیگراد مقاومت کند.با توجه به الزامات محیط فرآیند دمای بالا برای تولید نیمه هادیمواد عایق بندی مقاوم در برابر دماهای بالا مانند پلی تترافلوئورو اتیلن (PTFE) یا لاستیک سیلیکون برای اطمینان از قابلیت عایق بندی در دماهای بالا استفاده می شود.تسمه عملکرد الکتریکی و ثبات عالی را حتی در شرایط سخت کار با دمای بالا حفظ می کند.